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电子元器件详细资料 » IC[25489] » MUN5211DW1T1G
型号:MUN5211DW1T1G类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式制造商:ON Semiconductor
封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363描述:TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363

详细参数

类别晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
描述TRANS BRT NPN DUAL 50V SOT-363
系列-
制造商ON Semiconductor
晶体管类型2 个 NPN 预偏压式(双)
电流_集电极(Ic)111最大222100mA
电压_集电极发射极击穿111最大22250V
电阻器_基极(R1)111欧22210k
电阻器_发射极(R2)111欧22210k
在某IceeeVce时的最小直流电流增益(hFE)35 @ 5mA,10V
IbeeeIc条件下的Vce饱和度111最大222250mV @ 300µA,10mA
电流_集电极截止111最大222500nA
频率_转换-
功率_最大250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装SOT-363
包装剪切带 (CT)

供应商

深圳市恒佳微电子有限公司朱经理、张小姐0755-82533156 82710336
深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生0755-82561519
深圳市展鹏富裕科技有限公司陈丹0755-82573702
深圳市鑫晟源电子科技有限公司赖0755-83538837
深圳市川蓝电子科技有限公司彭小姐0755-82522939
深圳市中新永盛科技有限公司朱先生0755-83211840
深圳市裕硕科技有限公司雷小姐086-0755-23613962/82706142
深圳市芯脉实业有限公司周19166203057
瀚佳科技(深圳)有限公司李0755-23915992/23140719
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MUN5211DW1T1G相关型号

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